「在野のチップデザイナー」約70名を追加募集 一般社団法人RISC-V協会は、2026年11月11日（水）に東京大学本郷キャンパスで開催する「RISC-V Day Tokyo 2026 Autumn」において、GF180MCUを用いた半導体回路設計・試作チュートリアルの参加枠を拡大し、約70名を追加募集します。 当初募集した60席は満席となりました。その後、チップ実装の検討を進めた結果、すでに申し ...
It has been five years since I started working in the semiconductor industry. I relearned the basics of transistors and felt ...
摩尔定律逼近物理极限，CFET被视为关键突破口。 比利时微电子研究中心（imec）在2026年7月发布的制程路线图中预测， 2038年有望实现0.3nm等级工艺，并明确指出CFET垂直堆叠架构是突破物理极限、延续摩尔定律的核心方案。
泛林集团于9月29日推出自对准互补场效应晶体管（SA-CFET）架构，预计可将CMOS晶体管推进至1nm及以下节点，延续摩尔定律。 关键技术与优势 CFET架构通过垂直堆叠NMOS和PMOS，提高器件密度。 SA-CFET包含SA-BPR、SA-CT、SA-TSV三大自对准模块，缓解接触拥挤问题。 采用非金属栅极切割设计，保持与N3规范兼容性。 该文观点仅代表作者本人，搜狐号系信息发布平台，搜狐仅 ...
Lam Research представила архитектуру SA-CFET для дальнейшего масштабирования CMOS. В моделировании площадь ячейки 6T SRAM ...
IT之家注：CFET 即互补型场效应晶体管，是一种将 NMOS 和 PMOS 器件垂直堆叠的晶体管架构。相比传统将两类晶体管并排布置的方式，CFET 可以在相同平面面积内实现更高的器件密度，同时增加有效沟道宽度，并改善器件的静电控制能力。
随着尺寸不断缩小，传统的环栅（GAA）纳米片晶体管可能会面临日益严峻的挑战，例如漏电、迁移率、电阻和制造变异性。 一种提出的自对准互补场效应晶体管 (SA-CFET) 架构通过垂直堆叠 N 沟道金属氧化物半导体 (NMOS) 和 P ...
Lam’s Semiverse Solutions team used digital twin modeling to explore a self-aligned CFET architecture that could help extend CMOS scaling beyond 10 Å.
This metabolic syndrome is one of the leading causes of infertility—yet doctors often just tell women to lose weight. Will a new name usher in a new era of care? Doctors have long missed diagnoses of ...
PHILADELPHIA (WPVI) -- Changing the name of a condition or disease may seem trivial. However, it's often done to improve the diagnosis and care of people with the condition. That is the case in the ...
What’s in a name? When it comes to medical conditions, the right moniker can mean the difference between a delayed diagnosis and an accurate one. Take polyendocrine metabolic ovarian syndrome (PMOS), ...
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